全化學鍍銅工藝技術

　　全化學鍍銅工藝方法解決深孔電鍍問題是一種途徑，它是利用化學催化作用，而不是電氣作用來沉積銅，由于不需要施加電流，因而也就不存在由于電流分布不均勻而導致的鍍層分布不均勻的問題。全化學鍍銅的沉積速率為1.78-2.03μm/hr，按照這個速率沉積30μm的銅層需要18小時以上，生產(chǎn)效率很低，但它的工作負載高達0.25-0.5平方英尺/4.5升(0.05-0.10平方米/升)而電化學方法的工作負載只有0.002平方米/升，其化學組份采用自動分析儀來控制，在生產(chǎn)過程中沉積速度可以采用沉積速度試驗板來定期監(jiān)控。

　　如把此種類型的工藝技術用生產(chǎn)自動流水線上，僅需要在現(xiàn)有的化學沉銅線上增加一個10%弱腐蝕槽和一個全化學沉銅槽就可以了。但從試驗報告中獲知，此種類型的工藝方法，對通孔電鍍能力很強，表面與孔鍍層厚度比接近1:1，但它的最大缺陷就是銅層的最重要的物性-延伸率只有2-3%，離標準差距較大，而且鍍層脆，特別是經(jīng)熱沖擊后銅鍍層容易產(chǎn)生破裂。