申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)： 00811809 在填充在半導(dǎo)體晶片上形成的配線（ＬＳＩ）圖案的微細(xì)通路或溝道時(shí)，用含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的銅電鍍液進(jìn)行電鍍，或者用含有吡咯或硅烷偶聯(lián)劑的銅電鍍用前處理液浸漬之后進(jìn)行電鍍。這樣，通過向電鍍液中添加銅溶解抑制成分，或者用含銅溶解抑制成分的溶液進(jìn)行前處理，可以抑制覆蓋度差的銅籽晶層的溶解，防止空隙、裂縫等缺陷的發(fā)生。
| 申請(qǐng)日： | 2000年05月26日 |
| 公開日： | 2002年09月18日 |
| 授權(quán)公告日： | 2005年02月23日 |
| 申請(qǐng)人/專利權(quán)人： | 株式會(huì)社日礦材料 |
| 申請(qǐng)人地址： | 日本東京都 |
| 發(fā)明設(shè)計(jì)人： | 關(guān)口淳之輔;山口俊一郎 |
| 專利代理機(jī)構(gòu)： | 中國(guó)專利代理(香港)有限公司 |
| 代理人： | 郭廣迅 |
| 專利類型： | 發(fā)明專利 |
| 分類號(hào)： | C25D3/38;C25D5/34 |
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